氮化鋁陶瓷的應用
氮化鋁陶瓷是以氮化鋁（AlN）為主晶相的氮化物陶瓷，屬于六方纖鋅礦型晶體結構，化學組成為鋁65.81%、氮34.19%。其熱導率達170-320W/(m·K)，熱膨脹系數與硅和砷化鎵匹配，兼具高絕緣性、耐高溫（2200℃穩定）及抗熔融金屬侵蝕等特性，主要應用于電子封裝基板、集成電路散熱、LED照明器件及高溫耐蝕部件。
1、氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2、氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
3、氮化鋁硬度高,超過傳統氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價高,只能用于磨損嚴重的部位。
4、利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
5、氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。 利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業中廣泛應用。
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